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Classificação de Patentes

Índice:
C Química; metalurgia
C30 Crescimento de cristais
Seção Descrição
C30B Crescimento de monocristais; solidificação unidirecional de materiais eutéticos ou desmixagem unidirecional de materiais

Exemplos de patentes nesta classificação:

  • Procsso de crescimento, compactção e sinterizaçào de pastilhas de lif.

    Processo de crescimento, compactação e sinterização de pastilhas de lif, referindo-se a um processode crescimento e resfriamento controlados de cristais ativados em atmosfera insiste de uma mistura de partes diversas de lif, lif4, mgf2, cu, ag, fe, mn, pb, al, eu, na e k. Tais cristais compactadose sintetizados à temperatura a atmosfera ambientes formam uma pastilha de altos poderes dosimétricos.

    PI8305213-5

  • Cadinho para o tratamento de silício fundido, e, processo para a fabricação e uso do mesmo.

    Cadinho para o tratamento de sílicio fundido, e, processo para a fabricação e uso do mesmo. A invenção diz respeito a um cadinho para o tratamento de silício fundido compreendendo um corpo básico com uma superficie inferior e paredes laterais que definem um volume interno. De acordo com a invenção, o corpo básico compreende pelo menos 65 % em peso de carboneto de silício, de 12 a 30 % em peso de u.

    PI0706222-2A2

  • Processo para a produção de cristais simples não aglomerados de nitreto de alumínio.

    Um processo para a produção de cristais simples não aglomerados de nitreto de alumínio com um tamanho de pelo menos 10 micra adequados para o reforço de materiais compósitos de matriz de metal, cerâmica ou polimérica. O processo envolve a reação de alumina (ou um precursosr) com carbono (ou um precursor) sob uma atmosfera de nirtogênio (ou um precursor, tal como amônia ou uma amina) a uma temperat.

    PI9106499-6

  • Método e aparelho para refinar um material.

    Método e aparelho para refinar um material. Um método para a solidificação direcional de silício ou outros materiais. Uma placa resfriada (19) é abaixada dentro de uma massa fundida (18) e um lingote (29) de silício sólido é solidificado para baixo.

    PI0611809-7

  • Cadinho para a cristalização de silício, e, processo para a preparação do mesmo.

    Cadinho para a cristalização de silício, e, processo para a preparação do mesmo. A invenção refere-se a um cadinho para a cristalização de silício e a preparação e a aplicação de revestimentos liberáveis para cadinhos usados na manipulação de materiais fundidos que são solidificados no cadinho e então removidos como lingotes, e mais especialmente, a revestimentos liberáveis para cadinhos usados na.

    PI0612805-0A2

  • Aperfeiçoamento em cristal natural.

    Aperfeiçoamento em cristal natural, compreendendo a preparação de pedras diversas, adicionando-se um meio líquido de óleo mineral natural (banho) e, em seguida, o cristal é hermeticamente envolvido e acondicionado em uma embalagem adequada, devidamente selada a vácuo ou de maneira impermeável, incluindo um estojo com a parte superior transparente, condizente para que o dito cristal possa funcionar.

    PI9904938-4

  • Processo para sintetisar óxido binário cristalino.

    Óxidos binários cristalinos são preparados por cristalização hidro térmica, utilizando uma mistura de reação de duas fases, compreendendo uma fase aquosa e uma fase orgânica substancialmente imiscívelem água, em que a fonte de pelo menos um dos óxidos é dissolvida ou dispersa na fase orgânica.

    PI8703168-0

  • Método para a produção de compostos supercondutores artificiais em camadas de elevada tc.

    Este é um método de fabricação de estruturas estratificadas de compostos supercondutores artificiaisdeelevada tc , pelo qual, sobre um cristal-semente (7), que possui uma estrutura de rede que combina com a estrutura de rede do composto supercondutor a ser produzido, fazem se crescer epitaxialmentecamadas de óxidos (4, 5, 6) de todos os componentes constituintes em uma seqüência pré-determinada,de.

    PI8902555-5

  • Cristalizador de leito de fluido e processo para a formação de cristais de um corpo de pasta fluida.

    Patente de invenção: "aparelho e método melhorados para cristalização". Um aparelho e método cristalizador de leito fluido de superfície resfriada (10) são descritos onde superfícies do trocador de calor submersas (tipicamente tubos ou chapas do trocador de calor (14) através dos quais um líquido refrigerente é passado) são envolvidas com uma corrente de bolhas de gás (preferivelmente ar). As bolh.

    PI9509563-2

  • Composição de pó metalúrgico e método para a produção de composição de pó metalúrgico.

    Composição de pó metalúrgico e método para a produção de composição de pó metalúrgico. A presente invenção refere-se a uma composição metalúrgica para produção de peças compactadas, compreendendo: (a) pelo menos cerca de 80 por cento em peso de um pó de ferro ou à base de ferro; (b) até cerca de 20 por cento em peso de pelo menos um pó de ligação; (c) de cerca de 0,05 a cerca de 2 por cento em pes.

    PI0620894-0A2

  • Cristais de nitrato de prata.

    São descritos cristais de nitrato de prata que compreendem uma morfologia cristalina substancialmente não-plaquetada. Os cristais de nitrato de prata não-plaquetados têm uma razão de fases na faixa de cerca de 1:2:3 a cerca de 1:1:1.

    PI9300790-6

  • Alfa alumina.

    "Alfa alumina". Alfa alumina que consiste de partículas de alfa alumina de cristais isolados, que são homogênas, não contém qualquer cristal somente no interior das partículas, possuem um formato poliédrico de oito ou mais faces, apresentam uma porporção d/h de 0,5 a 3,0, na qual d representa um diâmetro da partícula paralelo a um plano do látice hexagonal de um látice hexagonal de alta densidade .

    PI9306465-9

  • Alfa alumina.

    "Alfa alumina". Alfa alumina que consiste de partículas de alfa alumina de cristais isolados, que são homogêneas, não contém qualquer cristal semente no interior das partículas, possuem um formato poliédrico de oito ou mais faces e apresentam uma proporção d/h de 0,5 a 3,0, na qual d representa um diâmetro máximo de partícula paralelo a um plano de látice hexagonal de um látice hexagonal de alta d.

    PI9306463-2

  • Processo para a pirólise de metano para o crescimento e a fabricação de fibras de grafite.

    Em uma forma de realização preferida da invenção, fibras de grafite são deixadas crescer em uma superfície cerâmica apropriadamente nucleada, por passagem de um fluxo de metano gasosa sobre a superfície a uma temperatura elevada. Inicialmente, a concentração em metano no fluxo de gás é ajustada paraestar entre 5 e 15 por cento em volume para formar filamentos de carbono microscópicos. A seguir, ac.

    PI8503950-0

  • Processo para a produção de alfa alumina.

    "Processo para a produção de alfa alumina". Processo para a produção de alfa alumina contendo partículas de cristais isolados de alfa alumina caracterizado pelo fato de que alumina de transição e/ou uma matéria prima de alumina capaz de ser convertida à alumina de transição quando aquecida, são calcinadas em uma atmosfera contendo pelo menos 1% em volume de cloreto de hidrogênio a uma temperatura .

    PI9306466-7

  • Processos para refino de minérios de alumínio para a recuperação de alumina.

    A invenção refere-se à modificação de crescimento de cristal e mais particularmente, à modificação de crescimento de cristal durante precipitação de alumina no processo bayer. Minérios de alumínio sãodigeridos em um licor cáustico para extração de teores de alumina. O licor é subseqüentemente clarificado para remoção de materiais insolúveis cáusticos e cristais dealumina precipitados do licor clar.

    PI9102650-4

  • Conversor psicotrônico.

    Conversor psicotrônico. É um produto desenvolvido com base nos multis cristais de turmalina negra, por meio de oxifusão redutiva, por um processo de sinterização de purificação com mutação de área potencializada, fazendo a centrifuga destes em alta densidade, os cristais tornando uma função homogenia de um produto final natural estável e seguro capaz de manter após acionado por um campo biológico .

    MU8700190-0

  • Processo para a produção de camadas fotoativas, assim como de componentes que compreendam essas camadas.

    Processo para a produção de camadas fotoativas, assim como de componentes que compreendam essas camadas. A presente invenção refere-se a um método para a produção de camadas fotoativas, e a componentes tais como células solares ou fotodetectores compreendendo a referida camada. A camada fotoativa é produzida de acordo com a invenção pela síntese de partículas semicondutoras morgânicas com irradiaç.

    PI0713496-7A2

  • Cadinho para a cristalização de silício, e, processo para a preparação do mesmo.

    Cadinho para a cristalização de silício, e, processo para a preparação do mesmo. A invenção refere-se a um cadinho para a cristalização de silício e à preparação e aplicação de revestimentos de liberação para cadinhos usados no manuseio de materiais fundidos que são solidificados no cadinho e então removidos como lingotes, e mais particularmente e revestimentos de liberação para cadinhos usados na.

    PI0616485-4A2

  • Processo de purificação de naftaleno por recristalização.

    A presente invenção tem como objetivo a obtenção de cristais de naftaleno com alto índice de pureza, com menor custo de produção e maior simplicidade operacional, sem a geração de resíduos industriais poluentes, preservando-se o meio ambiente. O processo desenvolvido consiste na solubilização do naftaleno bruto, recristalização, filtração e lavagem dos cristais, e posterior secagem dos mesmos.

    PI9401160-5

  • Processo de preparação de vidros coloridos contendo microcristalitos semi-condutores.

    Refere-se a invenção a um processo para preparação de vidros coloridos contendo microcristalitos semicondutores, nos quais é empregado o telúrio em lugar do selênio; as perdas por evaporação que vinham impossibilitando o uso de telúrio nesta aplicação, são praticamente suprimidas mediante a colocação do cadinho (17) contendo os ingredientes que constituem o vidro (11) num forno de indução com atmo.

    PI9105067-7

  • Processo para converter sici4 em si metálico.

    Processo para converter sic1~4~ em si metálico. A invenção refere-se à fabricação de silício de alta pureza como um material de base para a produção de, por exemplo, células solares de silício cristalino. Sicu é convertido em si metálico por contato de sicu gasoso com zn líquido, assim obtendo uma liga contendo si e cloreto de zn, que é separado. A liga contendo si é, então, purificada em uma temp.

    PI0609475-9A2

  • Processo de cristalização para obter um cristal de monoidrato de glutamato monossódico.

    "Processo de cristalização para obter-se um cristal de monoidrato de glutamato monossódico". Um processo de cristalização para obter-se um cristal de monoidrato de glutamato monossódico, compreendendo cristalizar monoidrato de glutamato monossódico de uma solução aquosa contendo glutamato de sódio, sob agitação, em um grau de supersaturação s [-] de 1,06 + 64,31 x (8,43 x 10-9/u)^ 1/2^ ou menor, e.

    PI0101115-4

  • Reator e processo para obtenção de materiais carbonosos por corrente elétrica de curto-circuito.

    "Reator e processo para obtenção de materiais carbonosos por corrente elétrica de curto-circuito". Pedido de patente de invenção do processo de produção de materiais carbonosos pela sublimação de um precursor sólido de grafite quando este é atravessado por uma corrente elétrica de curto-circuito no interior de um reator metálico pressurizado. Este reator possui entrada e saída para o gás rarefeito.

    PI0605767-5

  • Composto cerâmico transparente.

    Composto cerâmico transparente. A presente invenção refere-se a um composto cerâmico e método de produção que são providos, o composto cerâmico pode ser transpa- rente e pode servir como blindagem transparente. A porção cerâmica do composto pode ser safira de cristal simples. O composto pode proporcionar proteção adequada de projéteis, enquanto exibe área superficial maior e densidades areais rela.

    PI0611917-4A2

  • Método para a purificação de silício.

    Método para a purificação de silício. A invenção atual apresenta métodos de purificação de silício, métodos para a obtenção de silício purificado, assim como métodos para a obtenção de cristais purificados de silício, silício granulado purificado e/ou lingotes de silício purificado.

    PI0710313-1A2

  • Falsa pastilha inovadora de carbubeto de silício.

    Patente de invenção: "falsa pastilha inovadora de carbureto de silício" a presente invenção é relativa a uma pastilha não siliconizada ou siliconizada que consiste essencialmente em carbureto de silício recristalizado, tendo a pastilha um diâmetro de no mínimo 150mm e uma espessura entre 0,5 e 2 mm, e tendo uma porosidade ou conteúdo de silício livre entre 15 v/o e 43 v/o.

    PI9605818-8

  • Estrutura de raios x de fpps humana e uso para selecionar compostos de ligação de fpps.

    Estrutura de raios x de fpps humana e uso para selecionar compostos de ligação de fpps. A presente invenção refere-se a sintase de difosfato de arnesila humana cristalina (fpps), para a estrutura tridimensional de fpps livre bem como as estruturas tridimensionais de fpps em complexo com substratos tais como ipp (difosfato de isopentenila) e/ou com inibidores tais como zometa(r) ou aredia(r). Além .

    PI0606515-5A2

  • Estrutura de agrecanase.

    Estrutura de agrecanase. A presente invenção refere-se a polipeptídios agrecanase e complexos de polipeptídio agrecanase/ligante, cristais de agrecanase e de complexos de polipeptídio agrecanase/ligante e métodos e sistemas de software relacionados.

    PI0616729-2A2

  • Método para fabricar silício próprio para aplicações solares, disco de silício e célula solar.

    Método para fabricar silício próprio para aplicações solares, disco de silício e célula solar. Método para a fabricação de silício próprio para aplicações solares. Dito método compreende as seguintes etapas: o silício é fundido e a fusão é solidificada de forma direcionada sendo formada uma fronte de cristalização durante a solidificação dirigida, a qual apresenta a forma de pelo menos uma seção d.

    PI0621079-1A2