MÓDULO SEMICONDUTOR DE POTÊNCIA. A presente invenção refere-se a escreve-se um módulo semicondutor de potência 10 com um substrato (12), uma folha composta (14) e ao menos um componente semicondutor de potência (16) entre o substrato (12) e a folha composta (14). A folha composta (14) apresenta uma camada de metal lógica (26) estruturada em circuito e uma camada de metal de potência (28) estruturada em circuito, espessa em comparação com aquela, bem como entre as mesmas uma folha de plástico (24) fina, eletricamente isolante. A folha composta (14) é executada com nódulos de contato (30) para o contato com o ao menos um componente semicondutor de potência (16). Entre a camada de metal lógica (26) e a camada de metal de potência (28) estão previstas interconexões (32). A folha de plástico (24) é executada na região da respectiva interconexão (32) em uma região (36) isenta da camada de metal lógica (26) com um recesso (34). Uma peça (38) flexível de um arame fino (40) se estende pela região (36) isenta da camada de metal lógica (26) e pelo recesso (34) na folha de plástico (24) e é contactada com a camada de metal lógica (26) e com a camada de metal de potência (28) por pontos de soldadura (44, 48).
2006-11-08
N° RPI: 2.1
Data: 2006-12-26
Descrição do Despacho: Pedido Depositado
N° RPI: 3.1
Data: 2007-08-28
Descrição do Despacho: Pedido Publicado