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Circuito de nivelamento de oscilador controlado por tensão de alta frequência monolítico, e, comutador, operável em altas frequências, para conectar uma primeira parte de um circuito integrado a uma segunda parte do circuito integrado

"Circuito de nivelamento de oscilador controlado por tensão de alta frequência monolítico, e, comutador, operável em altas frequências, para conectar uma primeira parte de um circuito integrado a uma... (ver mais)


"Circuito de nivelamento de oscilador controlado por tensão de alta frequência monolítico, e, comutador, operável em altas frequências, para conectar uma primeira parte de um circuito integrado a uma segunda parte do circuito integrado" um circuito de nivelamento de oscilador controlado por tensão de alta frequência inclui uma pluralidade de malhas de capacitância (140) seletivamente conectadas entre uma primeira (120) e uma segunda (130) entradas diferenciais de uma rede ativa de oscilador controlado por tensão (110). Uma pluralidade de diodos (159, 160), conectada em série com a respectiva pluralidade de malhas de capacitância (140), seletivamente conecta respectivas malhas de capacitância (140) entre a primeira (120) e segunda (130) entradas diferenciais quando diretamente polarizada. De uma maneira similar, a pluralidade de diodos (159, 160) seletivamente desconecta as respectivas malhas de capacitância (140) da primeira (120) e segunda (130) entradas diferenciais quando reversamente polarizada. Um controlador (180) aplica uma tenção de polarização direta ao diodo (159, 160) da malha de capacitância selecionada (140) para conectar a malha de capacitância (140) à rede ativa (110) do oscilador controlado por tensão e aplica uma tensão de polarização reversa ao diodo (159, 160) da malha de capacitância selecionada (140) para desconectar a malha de capacitância (140) da rede ativa (110). Os diodos (159, 160) usados nas malhas de capacitância (140) formam um comutador operável em altas frequências e são formados de um diodo de proteção contra descarga eletrostática de semicondutor de óxido de metal complementar bipolar.

Publicações:

Revista Data Despacho Descrição
1552 2000-10-03 1.3
Notificação - Fase Nacional - PCT.Notificação da entrada na fase nacional do pedido internacional depositado... (ver mais)
1976 2008-11-18 8.6
Arquivamento - Art.86 da LPI.Arquivado o pedido por falta de pagamento de anuidade, por pagamento de anuidade... (ver mais)
Complemento: Referente a 9ª e 9ª anuidades.

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Nº Patente: PI9814969-5
Classificação: H03B 5/12
Dep. no INPI: 1998-11-10
WO: Data: 27/05/1999
Fase Nacional: 2000-05-16
PCT: Número: SE9802024 Data:10/11/1998

Inventores:

Christian Björk

Martin Lantz

Torbjörn Gärdenfors

Bojko Marholev

Prioridades Unionistas:

País Número Data
08/971770 1997-11-17 00:00:00.0